תיריסטור מהיר בורר

תיאור:

תיריסטור מתג מהיר, עם אותו מבנה וסמל של תיריסטור בקרת פאזה, בעוד המאפיינים הסטטיים הטובים יותר, במיוחד מאפיינים דינמיים נדרשים על ידי יישום בתדר גבוה של מעגל תיקון, חיתוך, מהפך והמרת תדר.הפרמטרים הדינמיים של התיריסטור המהיר הם מהירות הפעלה מהירה ומהירות התרחבות הפעלה, פחות טעינת התאוששות הפוכה וזמן כיבוי קצר, קצב עלייה קריטי גבוה של זרם הפעלה במצב (di/dt) וקצב קריטי של עלייה של מתח מחוץ למצב (dv/dt).הזרם המדורג של התיריסטור המהיר בתוך התדר המדורג אינו יורד או יורד מעט כאשר התדר עולה.

תקן ייצור התיריסטורים המהירים וטכנולוגיית העיבוד של RUNAU Electronics הוצג מארה"ב מאז שנות ה-80, כחלוץ ייצור תיריסטורים בסין, הצוות הטכני של RUNAU רכש את הידע החדשני ואת ניסיון הייצור הרב במשך יותר מ-30 שנה.על יסוד תהליך הייצור המסורתי, טכנאי הכשרונות של RUNAU Electronics פיתחו את הטכנולוגיה האומנותית בייצור תיריסטורים עם תכונות יתרון של מוצרים אירופיים, האיכות והביצועים השתפרו מאוד, עוד ניצחונות גדולים הושגו ביישומי האלקטרוניקה הכוחנית, ונוצר יותר ערך לשותפים.

מבוא:

1. צ'יפ

שבב התיריסטור המיוצר על ידי RUNAU Electronics הוא טכנולוגיית סגסוגת סינטרת המופעלת.רקיקת הסיליקון והמוליבדן נסחררה לצורך סגסוגת על ידי אלומיניום טהור (99.999%) תחת ואקום גבוה וסביבה בטמפרטורה גבוהה.ניהול מאפייני הסינטר הוא גורם המפתח להשפיע על איכות התיריסטור.הידע של RUNAU Electronics בנוסף לניהול עומק צומת הסגסוגת, שטוחות פני השטח, חלל הסגסוגת וכן מיומנות דיפוזיה מלאה, דפוס מעגל טבעת, מבנה שער מיוחד.כמו כן, נעשה שימוש בעיבוד המיוחד כדי להפחית את חיי הנשא של המכשיר, כך שמהירות השילוב של הנשא הפנימי מואצת מאוד, טעינת השחזור ההפוכה של המכשיר מופחתת, ומהירות המעבר משתפרת כתוצאה מכך.מדידות כאלה יושמו כדי לייעל את מאפייני המיתוג המהיר, מאפייני ה-on-state ותכונת זרם הנחשול.פעולת הביצועים וההולכה של תיריסטור אמינה ויעילה.

2. אנקפסולציה

על ידי שליטה קפדנית על השטיחות וההקבלה של רקיקת מוליבדן ואריזה חיצונית, השבב ופיסי המוליבדן ישולבו עם האריזה החיצונית בצורה הדוקה ומלאה.כזו תייעל את ההתנגדות של זרם נחשול וזרם קצר חשמלי גבוה.המדידה של טכנולוגיית אידוי האלקטרונים נוצלה ליצירת סרט אלומיניום עבה על משטח פרוסות סיליקון, ושכבת רותניום מצופה על משטח מוליבדן תגביר מאוד את ההתנגדות לעייפות תרמית, משך חיי העבודה של תיריסטור מתג מהיר יגדל באופן משמעותי.

מפרט טכני

1. תיריסטור מתג מהיר עם שבב מסוג סגסוגת מיוצר על ידי RUNAU Electronics, מגוון של I_TAVמ-200A ל-4000A ו-V_DRM/V_RRMמ-1200V עד 4500V.
2. I_GT,V_GTואני_Hהם ערכי הבדיקה ב-25℃, אלא אם צוין אחרת, כל שאר הפרמטרים הם ערכי הבדיקה תחת T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= רוחב בסיס זרם חצי גל סינוסואידי.ב-50Hz, I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. ב-60 הרץ: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;אני²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

פָּרָמֶטֶר: